Perangkat memori berkecepatan tinggi - Gambar diambil dari Internet, jika ada keluhan hak cipta silakan hubungi kami.
Beijing, Bolong.id – Pada Selasa (4/5) peneliti asal Tiongkok telah menemukan mekanisme baru untuk mengembangkan perangkat memori non-volatile dengan kecepatan sangat tinggi, kata Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS).
Dilansir dari Xinhuanet.com ( 新华网 ) pada Rabu (05/05/21), perkembangan perangkat memori berkinerja tinggi telah memainkan peran kunci dalam inovasi elektronik modern. Perangkat memori non-volatile, termasuk memori
Read Only Memory (ROM) dan memori flash, memiliki kapasitas tinggi dan keandalan mekanis. Namun, kinerjanya terhambat oleh extinction ratio yang rendah dan kecepatan operasional yang rendah.
Sebuah tim peneliti dari Institute of Physics mengembangkan perangkat memori non-volatil dengan kecepatan sangat tinggi, berdasarkan heterostruktur Van der Waals dengan penelitian yang tajam secara atomik antara elemen fungsional yang berbeda, dengan extinction ratio hingga 10 miliar.
Pada umumnya, perangkat memori flash komersial saat ini hanya dapat membaca dan menulis data dalam kisaran 100 mikrodetik, atau 100.000 nanodetik. Namun, perangkat memori tersebut dapat mencapai operasi membaca dan menulis dalam kisaran 20 nanodetik, dan menyimpan data setidaknya selama sepuluh tahun.
Heterostruktur Van der Waals dibuat dengan menumpuk bahan berlapis yang berbeda, dan dapat digunakan dalam bidang penelitian mulai dari ilmu material hingga elektrokimia.
Penelitian tersebut, yang didanai oleh National Natural Science Foundation of China, Kementerian Sains dan Teknologi, dan CAS, dipublikasikan secara online di jurnal Nature Nanotechnology pada hari Senin lalu. (*)
Informasi Seputar Tiongkok
Advertisement
